Molekulinių pluoštelių epitaksijos (MBE) įranga modelis SVT-V-2
Skirta AIII-BV puslaidininkinių junginių auginimui
Specifikacijos
- 7 šaltiniai
- III grupė: In, Ga ir Al
- V grupė: As ir Bi
- Skaldiklis su vožtuvu As2 formuoti
- Legirantai: n-tipui – Si, p-tipui – Be
- Padėklo temperatūra iki 1000 °C
- Storio nuokrypis 1% 2″ padėklui
- Greitaveikės sklendės
- Pagrindinė sklendė
- Konfigūracija: įkrovos ir auginimo kameros
- Auginimo modulis turi integruotą joninio siurblio su titaniniu sublimatoriumi sistemą (bazinis vakuumas 5×10-9 Torr)
- Įkrovos kamera vakuumuojama turbo molekuliniu ir bealyviu rotaciniu siurbliais (bazinis vakuumas 5×10-8 Torr)
- RoboMBE procesų automatizavimo sistema
Darbų pavyzdžiai
