SVCS PECVD – tai pramoninė įranga, skirta oksidų auginimui – SiO2 bei Si3N4, paprastai naudojamų saulės elementų prototipavimeir gamyboje.Įranga turi 2 oksidavimo metodus – PECVD bei terminę-oksidacinę krosnis.
PECVD oksidais yra dengiami puslaidininkiniai bandiniai, siekiant elektriškai izoliuoti sluoksnius arba grandyno elementus. Plazminis aktyvavimas leidžia sumažinti oksido formavimo proceso temperatūras iki 350-400 °C, taip užtikrinant mažesnį terminį poveikį bandiniams. Taip pat galima auginti grafeną, naudojant CH4 dujas.
Terminė-oksidacinė krosnis leidžia formuoti terminius, aukštos kokybės SiO2 oksidą ant kristalinio silicio plokštelių. Oksidacijos procesas vyksta, tiekiant O2 arba dejonizuoto vandens garus tarp 950°C ir 1100°C. Proceso metu, Si paviršius reaguoja su deguonies šaltiniu, ir formuoja kristališkai švarų SiO2. Tipiniai augimo greičiai yra 0.1nm/min iš O2 bei 1 nm/min iš H20.
PECVD krosnį sudaro kvarco vamzdis (Ø20cm, 1.5m ilgio), vakuuminiai vandeniu aušinami gaubtai, tikslaus dujų padavimo, paremta dujų srauto valdikliais (MFC), kompiuterinė valdymo sistema bei vakuumo pompa su davikliais. RF plazma generuojama lokaliai, sukuriant potencialą tarp grafitinio laikiklių plokštumų. Plazmos dažnis yra 450 kHz, kontroliuojama šaltinio galia bei apkrovimo laikas („dutycycle“) nuo 1ms iki 10s. Pasiekiamas vakuumo lygis iki 30mTorr (40mBar). Vakuumas dujų sraute yra kontroliuojamas 400-1800 mTorr ribose. Aktyvi zona, kurioje palaikoma temperatūra yra 30cm ilgio, temperatūros stabilumą iki 0.1°C užtikrina 3 temperatūros zonų valdymas. Reakcijoje nesunaudotos dujos yra sudeginamos tam skirtame dujų neutralizavimo įrenginyje.
Bandinių laikikliai: 1x1cm, 2“ bei 4“ substratams. Galima krauti iki 50vnt 4“ plokštelių.
Turimos dujos : SiH4, N2O, CH4, NH3, Ar/H2, N2.
Terminę-oksidacinę krosnį sudaro kvarco vamzdis (Ø20cm, 1.5m ilgio) su atviru galu, tikslaus dujų padavimo, paremta dujų srauto valdikliais (MFC) bei kompiuterinė valdymo sistema. Ši krosnis veikia atmosferiniame slėgyje. Turime kvarcinius laikiklius tiek kvadratinėms, tiek apvalioms Si plokštelėms. Maksimali temperatūra yra 1200°C.
Bandinių laikikliai: 1x1cm, 2“ bei 4“ substratams. Galima krauti iki 50vnt 4“ plokštelių.
Turimos dujos : O2, N2. H20 garai generuojami iš ultragarsinio kaitinimo įrenginio.